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三星宣布量产1TB eUFS闪存 速度容量双提升

发布时间:2019-02-06 11:26 所属栏目:[电子商务] 来源:尹航
导读:数码设备的发展离不开存储技术的进步,而数码设备的进步反过来又会促使存储技术不断前行。尤其是在容量方面,随着游戏、视频、照片等文件的容量越来越大,用户亟需更大容量的存储来存放更多的文件,因此在不断增大容量的基础上,如何做到合理的成本控制就

  数码设备的发展离不开存储技术的进步,而数码设备的进步反过来又会促使存储技术不断前行。尤其是在容量方面,随着游戏、视频、照片等文件的容量越来越大,用户亟需更大容量的存储来存放更多的文件,因此在不断增大容量的基础上,如何做到合理的成本控制就显得尤为重要了。

  近日,三星在其官网上宣布量产业界首款容量高达 1TB 的“嵌入式通用闪存存储器”(eUFS 2.1),该产品基于第五代V-NAND技术打造,速度是常规MicroSD卡的10倍,非常适合数据密集型应用需求。

三星

  三星在四年前推出了业界首个128GB的eUFS解决方案,满足近年来智能手机用户的存储需求,不过现在,智能手机领域的存储已经逐渐向TB级别迈进。而1TB?eUFS 2.1将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用。

  据悉,在相同的封装尺寸(11.5×13.0 m㎡)内,1TB eUFS 2.1较先前的512GB版本容量提升了一倍、堆叠了16层三星最先进的512Gb V-NAND闪存和新的专属控制器。

  以下是1TB eUFS 2.1存储的性能测试:

三星

  从测试数据可以看出,1TB?eUFS在读取速度上的表现也非常不错。三星计划于2019上半年在韩国Pyeongtaek工厂扩大第五代512Gb V-NAND的产量,以满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求。

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